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NXP Semiconductors
PESDxL4UF/G/W
Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
10
I ZSM
(A)
006aab134
10 2
P ZSM
(W)
006aab135
(1)
1
10
(1)
(2)
(2)
10 ? 1
10 ? 2
10 ? 1
1
10
1
10 ? 2
10 ? 1
1
10
t p (ms)
T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L4UF; PESD3V3L4UG; PESD3V3L4UW
(2) PESD5V0L4UF; PESD5V0L4UG; PESD5V0L4UW
Fig 3. Non-repetitive peak reverse current as a
function of pulse duration; maximum values
t p (ms)
T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L4UF; PESD3V3L4UG; PESD3V3L4UW
(2) PESD5V0L4UF; PESD5V0L4UG; PESD5V0L4UW
Fig 4. Non-repetitive peak reverse power dissipation
as a function of pulse duration; maximum
values
26
006aab136
10
006aab137
C d
(pF)
22
I R
I R(25 ° C)
18
1
(1)
14
(2)
10
6
0
1
2
3
4
V R (V)
5
10 ? 1
? 75
? 25
25
75
125
175
T j ( ° C)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L4UF; PESD3V3L4UG; PESD3V3L4UW
(2) PESD5V0L4UF; PESD5V0L4UG; PESD5V0L4UW
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXL4UF_G_W_4
Fig 6. Relative variation of reverse current as a
function of junction temperature; typical values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 28 February 2008
7 of 17
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